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绝缘硅片SOI

苏州建道电子能够提供100mm, 125mm, 150mm以及200mm绝缘硅片及其外延片。产品系列包括Simbond,键合绝缘硅片,高剂量和低剂量SIMOX绝缘硅片,并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度。此外,公司还向用户提供顶层硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系统集成用的高阻SIMOX绝缘硅片

产品详情

绝缘硅片SOI应用介绍

SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。为满足更多客户要求,苏州建道电子有限公司也提供超薄顶层和超薄绝缘层;

绝缘硅片SOI wafer尺寸

4”, 5”, 6”,8"。

绝缘硅片底层厚度

>200um;顶层厚度:>2um。

绝缘硅片导电类型

N-Type、P-Type、非掺高阻。

绝缘硅片顶层厚度:70nm、145nm、220nm、340nm等。

绝缘硅片绝缘层厚度:145nm、500nm等。

绝缘硅片SOI工业性能特点

顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。借助精密仪器,键合技术以及外延设备,顶层硅最薄可达20纳米,最厚可至几十微米或更多。一个更厚的顶层硅对光通讯及MEMS器件尤其重要。

1.提高运行速度

在特定的电压下,建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%,这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。

2.降低能量损耗

SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗,特别适用于对能量消耗比较高的领域。

3.改进运行性能

SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温,对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。

4.减小封装尺寸

SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。

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