硅外延晶片是用于制造广泛的半导体器件的核心材料，在消费、工业、军事和空间电子学中都有应用。现在主流的外延材料是氮化镓(GaN)，衬底材料主要有蓝宝石。硅，碳化在三种，量子阱般为5个通常用的生产工艺为金属有机物气相外延(MOCVD)，这是LED产业的核心部分，需要较高的技术以及较大的资金投入。
外延片直接
4"
5"
6"
8"
外延层
掺杂
Boron, Phos, Arsenic
晶向
<100>, <111>
导电类型
P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
电阻率
0.001-50 Ohm-cm
电阻率均匀性
Standard <6%, Maximum Capabilities <2%
外延层厚度 (um)
0.1-100
厚度均匀性
Standard <3%, Maximum Capabilities <1%
衬底
晶向
<100>, <111>
导电类型/掺杂元素
P Type/Boron , N Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb
厚度 (um)
300-725
电阻率
0.001-100 Ohm-cm
表面状态
P/P, P/E
颗粒度
<30@.0.5um
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