锗单晶片可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数，对红外线透明，不透过可见光和紫外线，可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。锗在红外器件、γ辐射探测器方面仍占有优势。高质量的锗基板主要用于cpv、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管的应用。
锗晶片具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3.锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。
锗单晶片外形尺寸：2"~12";纯度：≥99.999%;晶体结构：单晶/多晶;导电类型：N/P;直径：50~ 300mm/多晶380mm;电阻率：5~400-cm (客户要求);平整度：≤20μm;垂直度：< 5';倒角：0.2~ 1mm;破边：≤0. 5mm;厚度：客户要求;表面处理：抛光非抛光(客户要求)。
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