SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。为满足更多客户要求，苏州建道电子有限公司也提供超薄顶层和超薄绝缘层;
4”, 5”, 6”，8"。
>200um;顶层厚度：>2um。
N-Type、P-Type、非掺高阻。
绝缘硅片顶层厚度：70nm、145nm、220nm、340nm等。
绝缘硅片绝缘层厚度：145nm、500nm等。
顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。借助精密仪器，键合技术以及外延设备，顶层硅最薄可达20纳米，最厚可至几十微米或更多。一个更厚的顶层硅对光通讯及MEMS器件尤其重要。
1.提高运行速度
在特定的电压下，建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%，这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。
2.降低能量损耗
SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特别适用于对能量消耗比较高的领域。
3.改进运行性能
SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温，对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。
4.减小封装尺寸
SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。
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