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蓝宝石晶片sapphire

苏州建道电子代理加工供应各种尺寸蓝宝石sapphire晶片。蓝宝石Sapphire又称白宝石,分子式为Al2O3,蓝宝石单晶是一种优秀的多功能材料。广泛用于工业、国防和科研的多个领域(如耐高温红外窗口等)。

产品详情

蓝宝石单晶片工业应用

蓝宝石单晶是一种优良的多功能材料。可以广泛应用于工业,国防和科研等多个领域(如耐高温红外窗口)。同时它也是一种用途广泛的单晶基片材料。是当前蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)工业的先选基片(需要在蓝宝石基片上外延氮化镓膜层),也是重要的超导薄膜基片。除了可以制作Y-系,La-系等高温超导薄膜外,还可以用于生长新型实用MgB2(二硼化镁)超导薄膜。

蓝宝石单晶片厚度

100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm。

蓝宝石单晶片尺寸

2英寸、4英寸、6英寸和切割小块。

蓝宝石单晶片晶向

C向、M向、R向;单抛、双抛。

R向蓝宝石晶片

R向基底生长的不同沉积的硅料外延长晶,被应用于微电子集成电路。此外,在对外延硅生长制膜的过程中,还可以形成高速的集成电路和压力传感器。在制作砣、其它超导组件、高阻电阻器、砷化镓时亦可应用R型基底生长。比A稍难切。

C向蓝宝石晶片

C向的蓝宝石基底被用于生长III-V 与II-VI族沉积薄膜,比如氮化镓,可以产出蓝色的LED产品、激光二极管以及红外线探测仪的应用。 这主要是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物化性能稳定,在C面进行磊晶的技术成熟稳定。C轴均有晶光性,其他轴具有负光性;C面为平面,最好切。

M向蓝宝石晶片

M面为阶梯锯齿状,不好切,容易切裂。主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以提高发光效率。

A向蓝宝石晶片

A向硬度明显高于C向,具体表现在耐磨,耐刮,硬度高;A面为Z型锯齿状面,比较好切;A向基底产生统一的电容率/介质,并且高度绝缘被应用于混合微电子技术中。高温的超导体可由A型基底长晶产生。

蓝宝石单晶片加工

图案化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate简称PSS):以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式,在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光形式,并可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷,改善磊晶质量,并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。此外,可按客户要求加工定制蓝宝石棱镜、表镜、透镜、孔件、锥台等各种结构件。

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