砷化镓gallium arsenide化学式GaAs，属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，由砷和镓两种元素化合而成，外观呈亮灰色，具金属光泽、性脆而硬，是当代国际公认的继"硅Silicon"之后最成熟的化合物半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性，是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。
在光电子工业领域应用层面，砷化镓单晶可被用于制作LD(激光器)、LED(发光二极管)、光电集成电路(OEIC)、光伏器件等; 在微电子工业领域应用层面，可被用于制作MESFET(金属半导体场效应管)、HEMT(高电子迁移率晶体管)、HBT(异质结双极晶体管)、IC、微波二极管、Hall器件等。主要涉及高端军事电子应用、光纤通信系统、宽带卫星无线通信系统、测试仪器、汽车电子、激光、照明等领域。作为重要的半导体材料，GaAs的电子迁移率为硅和氮化镓的5倍，用于中小功率微波器件具有更低的功率损耗，因此在手机通讯、局域无线网、GPS和汽车雷达等领域中占主导地位。
砷化镓单晶片尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ;
砷化镓单晶片晶向：(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角;
砷化镓单晶片类型：N- type 掺Si， P- type 掺Zn，半绝缘Undope;
砷化镓单晶片厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;提供“激光领域” 用高质量超薄双抛GaAs ;
提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs ;
提供高质量低位错的EPD<500、<300、<100、<50 的高质量LD级外延用GaAs;
砷化镓单晶片工艺加工：镀增透膜、镀金等欧姆接触、砷化镓电池、砷化镓外延(PN结、LED各色外延、LD激光器)。
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