苏州建道电子加工、供应各种类型单晶硅片，以及苛刻要求的高质量硅片。a.单晶硅片生长方式：直拉(CZ)、MCZ等。尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非标直径及异形硅片。b.单晶硅片表面：单抛、双抛、研磨等。c.单晶硅片晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向。d.单晶硅片厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm;超厚：>1mm。e.单晶硅片导电类型：N型、P型、本征半绝缘。f.单晶硅片电阻率：重掺杂<0.0015Ω.cm，轻掺杂1~100Ω.cm，非掺>1000~>20000Ω.cm。g.单晶硅片用途：各种指标，满足各种应用。如：PVD/CVD/热氧化/氮化等镀膜用衬底;磁控溅射生长样品;分子束外延生长的基底;SEM扫描电镜、透射电镜、原子力AFM、拉曼光谱、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底;X射线分析;刻蚀、键和、光学透过、透镜、器件等。h.单晶硅片工艺：可加工氧化、 氮化、镀金属膜(银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni)。i.单晶硅片供货能力：大量库存现货，种类齐全，当天发货。j.单晶硅片加工能力：各种规格可加工，为客户量身定制，工期短。
苏州建道电子加工、供应各种类型高阻硅片，以及苛刻要求的高质量硅片。a.高阻硅片生长方式：区熔(FZ)、中子辐照区熔(NTDFZ)等。b.高阻硅片尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非标直径及异形硅片。c.高阻硅片表面：单抛、双抛、研磨等。d.高阻硅片晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向。e.高阻硅片厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm;超厚：1mm、2mm、5mm等。f.高阻硅片导电类型：非掺杂半绝缘。g.高阻硅片电阻率：>1Ω.cm，>1000Ω.cm，>3000Ω.cm， >5000Ω.cm， >10000Ω.cm，> 20000 Ω.cm。h.高阻硅片用途：红外光学、太赫兹领域;整流器、场效应管、功率集成电路、射频、超高压二极管、传感器等。i.高阻硅片工艺：可加工氧化、 氮化、镀金属膜(银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni)。j.高阻硅片供货能力：大量库存现货，种类齐全，当天发货。k.高阻硅片加工能力：各种规格可加工，为客户量身定制，工期短。
苏州建道电子生产加工无衍射专用硅片。a.无衍射峰硅片应用：无硅的特征衍射峰，适用于诸多范围内有强吸收峰的样品测试，能够扣除背景噪音的影响。b.无衍射峰硅片形状：方形、圆形、圆形盲孔、方形盲孔和定制。c.无衍射峰硅片部分尺寸：10*10mm、20*20mm、35*50mm，φ15mm、φ25mm、φ32mm等。d.无衍射峰硅片标厚厚度：1.2mm、2mm。e.无衍射峰硅片适用于：日本理学、德国布鲁克、荷兰帕纳科等衍射仪。
苏州建道电子加工、销售氧化硅片，大量现货。a.氧化硅片尺寸：1.2.3.4.5.6.8.12英寸;定制尺寸、切割小块。b.氧化硅片晶向：100、111等。c.氧化硅片氧化层SiO2膜厚：较薄25nm、50nm等;常规100-500nm;厚1um、2um;超厚>3um~10um。d.氧化硅片表面： 单面抛光双面氧化、单片抛光单面氧化、双面抛光双面氧化。e.氧化硅片类型： N型、P型、非掺杂高阻。f.电阻率：<0.0015~1等低阻区、1-10Ω.cm中阻区、>1000~10000高阻区。g.氧化硅片工艺：热氧化工艺，也可PECVD加工。h.氧化硅片应用： 刻蚀钝化层、金属打线测试、电性绝缘层、涂胶、器件层等。i.氧化硅片供货能力：大量现货、参数齐全。j.氧化硅片订制能力：各种参数均可订制。
苏州建道电子加工、销售低应力氮化硅片，大量现货。a.氮化硅片尺寸： 2.3.4.6英寸。b.氮化硅片工艺： LPCVD;LPCVD具有均匀性好，应力低，成膜质量好等优点，成本也较高。c.氮化硅片氮化厚度：50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚。d.氮化硅片表面：单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化。e.氮化硅片硅片厚度：200um，500um等多种厚度。f.氮化硅片应用：钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度，防止硅片翘曲，并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域。g.氮化硅片供货能力：大量现货、参数齐全;当天出库。h.氮化硅片订制能力：各种参数均可订制。
江苏建道电子加工、销售镀金/铂金/铜/铝等镀金属膜硅片，大量现货，种类齐全，出货迅速。a.金属膜硅片尺寸：2.4.6英寸，10*10mm和任意尺寸，可定制。b.金属膜硅片类型：N型、P型、本征高阻。c.金属膜硅片晶向： 100、111等。d.金属膜硅片电阻率：<0.0015Ω.cm等低阻区、1-10Ω.cm中阻区、>1000Ω.cm~10000Ω.cm高阻区。e.金属膜硅片工艺：标准磁控溅射。f.金属膜硅片结构：基底+粘结层+镀层。g.金属膜硅片金属膜种类：金Au、铂Pt、铝Al、铜Cu、镍Ni、银Ag等金属膜。h.金属膜硅片金属膜厚： 几十纳米、50nm、100nm等。i.金属膜硅片用途：欧姆接触、导电基底、溶胶-凝胶基底、生长纳米材料等纳米领域;扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及其它扫描探针显微镜的测距，以及细胞培养，蛋白质DNA 微阵列和反射计等方面。j.金属膜硅片供货能力：大量现货、种类齐全，当天出货。k.订制能力： 各种参数均可订制。
苏州建道电子代理经销高品质SOI wafer和 SuperJunction MOSFET。a.soi硅片尺寸：4”, 5”, 6”，8"。b.soi硅片底层厚度：>200um;顶层厚度：>2um。c.soi硅片导电类型：N-Type、P-Type、非掺高阻。为满足更多客户要求，我们也提供超薄顶层和超薄绝缘层。d.soi硅片顶层厚度：70nm、145nm、220nm、340nm等。e.soi硅片绝缘层厚度：145nm、500nm等。欢迎您来电咨询更详细的soi硅片产品信息。
苏州建道电子提供3-8英寸硅外延片。a.外延硅片掺杂类型和晶向：P100.P111.N100.N111.b.外延硅片类型：P/P++， N/N++，N/N+， N/N+/N++，N/P/P，P/N/N+。c.外延硅片外延厚度：0.1-100um。d.外延硅片外延电阻率：0.001-100Ω.cm。外延硅片可加工定制，详情请电联。
苏州建道电子可提供各种形状硅材料，如：圆形、方形、三角形、梯形、八角形、球、棒、条等等。详情请电联。
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