苏州建道电子提供一系列产品级抛光晶圆：表面高平坦度，超级洁净的高纯度单晶硅抛光晶圆，这些均为客户定制化以达到不同客户的品质要求。复杂的化学机械抛光工序(CMP)能够移除掉表面的缺陷，以及生产出超级平坦、类似镜面的表面。CMP工艺在1962年被开发出来，直到今天仍是半导体的工业标准。产品级晶圆使用在一系列先进的集成电路产品里，是集成电路的最主要的原材料之一。建盟化学提供150mm, 200mm, 300mm, 450mm等尺寸产品级晶圆，型号、电阻率、晶向、厚度、颗粒度等皆可以根据客户的要求来定制。
苏州建道电子提供测试级和监控级晶圆给我们的客户，测试级晶圆主要用来测试和管控半导体扩散工艺和生产线。测试级晶圆本质上有和产品级晶圆(Prime Wafer)一样的清洁干净，有一些参数会比产品级晶圆会低一些，这样给客户提供了超高性价比的方案用于非重要的工艺和应用。
苏州建道电子提供一系列调试级抛光晶圆Dummy Wafer，又称假片，调试级晶圆主要用于半导体设备和工艺调试，达到一定的工艺要求。建盟化学提供100mm, 150mm, 200mm, 300mm, 450mm等各尺寸产品级晶圆，型号、电阻率、晶向、厚度等皆可以根据客户的要求来定制。
苏州建道电子致力于为客户提供全面的晶圆解决方案，从调试级晶圆(Dummy Wafer),测试级晶圆(Test Wafer)，到产品级晶圆(Prime Wafer)，以及特殊晶圆氧化晶圆、氮化晶圆、镀铝晶圆、镀铜晶圆、Spacer Wafer、SOI Wafer、超平晶圆、MEMS Glass、定制晶圆等。建盟化学提供150mm, 200mm, 300mm, 450mm等尺寸产品级晶圆，型号、电阻率、晶向、厚度、颗粒度等皆可以根据客户的要求来定制。并可提供300mm半导体晶圆单面/双面抛光、减薄、激光切割等加工服务。
苏州建道电子可以根据客户的需求定制各类晶圆，超薄晶圆，超厚晶圆，超平晶圆，氧化晶圆，氮化晶圆，镀铝片，镀铜片等等，尺寸覆盖100mm~300mm。
直径：300毫米;局部平整度：局部平整规格：<=0.05微米, <=0.11微米, <=0.13微米, 或<=0.25微米;可用区域百分比(PUA)：100%;局部尺寸：26x8 毫米。
直径：200毫米;厚度：2000微米;颗粒度：0.2微米<=20ea。
直径：50毫米-300毫米;电阻率：1-100欧姆.厘米;厚度：200微米;颗粒度：0.2微米<=20ea;表面处理：抛光。
苏州建道电子提供由先进的特种玻璃材料制成的晶片和基片：BF33、AF32、D263等， 所有这些都可采用各种形状和加工等级。运用抛光领域的经验、独具一格的表面质量，以及出色度量衡知识，建盟化学能够满足您独特的需求与挑战。建盟化学提供150mm, 200mm, 300mm等各类尺寸玻璃晶圆片，型号、厚度、反射等参数皆可以根据客户的要求来定制。
苏州建道电子的产品线包括单面抛光晶圆(SSP)和双面抛光晶圆(DSP)。双面抛光晶圆广泛应用于对平坦度要求很高的半导体、MEMS、以及其它需要精密控制厚度的产品等。建盟化学提供200mm、300mm直径的的双面抛光晶圆，玻璃晶圆Glass Wafer，并可根据客户的要求来定制。
硅常被用来做离散功率半导体组件, 高效太阳能, RF芯片, 以及光学产品。区熔晶圆的高纯质可取代碳浓度与氧纯度极低的直拉法制成的硅， 适用于低掺杂物浓度的制程, 有时会产生高达50000欧姆-厘米的电阻值。东莞建盟化学提供150mm, 200mm, 300mm等各尺寸区熔晶圆，型号、电阻率、晶向、厚度、颗粒度等皆可以根据客户的要求来定制。
主要应用于MEMS和先进CMOS集成电路扩散制程。SOI晶圆SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中器件的介质隔离，彻底消除了硅CMOS电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。SOI晶圆有三层材料堆溅组成：顶层产品层(Device Layer)，中间绝缘层(BOX Layer) 以及底部衬底层(Handle Layer)。SOI晶圆通常都是独特规格，用于制造出不同的终端应用产品。东莞建盟化学提供100mm, 150mm, 200mm等各类尺寸和不同规格的SOI晶圆。
苏州建道电子供应一系列氧化晶圆SiO2 Oxide Wafer，并可根据客户的需求供应不同工艺的氧化晶圆：PECVD Oxidation和Thermal Oxidation Wafer。氧化晶圆直径覆盖100mm, 150mm, 200mm, 300mm各尺寸产品级晶圆，衬底晶圆的型号、电阻率、晶向、厚度等皆可以根据客户的要求来定制。
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