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锑化镓晶片GaSb

苏州建道电子代理加工供应2寸、3寸和4寸锑化镓GaSb晶片。锑化镓(GaSb)是一种非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料;非制冷中长波红外探测器具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等优点;该产品广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池。

产品详情

锑化镓晶片类型

单晶GaSb

锑化镓晶片掺杂

None;None high R;Zn;Te;Te high R。

锑化镓晶片导电类型

P;P-;P+;N;N

锑化镓晶片载流子浓度cm-3

1~2×1017;1~2×1016;1~2×1018;1~2×1017 ;1~2×1016

锑化镓晶片位错密度cm-2

<103。

锑化镓晶片生长方法

LEC。

锑化镓晶片最大尺寸

Φ3″。

锑化镓晶片标准基片

Φ3″×0.5;Φ2″×0.5。

锑化镓晶片表面处理

研磨,单抛,双抛。

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