苏州建道电子加工定制高质量砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。a.砷化镓晶片尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ;b.砷化镓晶片晶向：(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角;c.砷化镓晶片类型：N- type 掺Si， P- type 掺Zn，半绝缘Undope;d.砷化镓晶片厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;e.提供“激光领域” 用高质量 超薄双抛GaAs ;提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs ;f.提供高质量低位错的EPD<500、<300、<100、<50 的高质量LD级外延用GaAs;g.砷化镓晶片工艺加工：镀增透膜、镀金等欧姆接触、砷化镓电池、砷化镓外延(PN结、LED各色外延、LD激光器)。
苏州建道电子供应磷化铟InP晶片。a.磷化铟晶片尺寸：2寸，3寸，4寸;b.磷化铟晶片表面：单抛、双抛;c.磷化铟晶片厚度：350um、500um、625um等;d.磷化铟晶片阐述：磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点;e.磷化铟晶片应用：制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。
苏州建道电子供应砷化铟InAs晶片。a.砷化铟晶片尺寸：2.3英寸;b.砷化铟晶片阐述：InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。c.砷化铟晶片应用：InAs可以生长InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等异质结构材料，制作波长2-12μm的红外发光器件。用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料，制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。
苏州建道电子提供2寸111晶向磷化镓InP晶片。可提供双抛。a.磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，化学键是以共价键为主的混合键，属于间接跃迁型半导体。磷化镓与其他宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料，是LED主要衬底材料之一。b.磷化镓外延材料是在磷化镓单晶衬底上通过液相外延或汽相外延加扩散生长的方法制得。多用于制造发光二极管。液相外延材料可制造红色、黄绿色、纯绿色光的发光二极管，汽相外延加扩散生长的材料，可制造黄色、黄绿色光的发光二极管。
苏州建道电子供应2寸、3寸和4寸锑化镓GaSb晶片。a.锑化镓(GaSb)是一种非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料;非制冷中长波红外探测器具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等优点;该产品广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池。b.锑化镓晶片可以与各种Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配, 这些材料光谱的范围在(0 .8～4 .0)μm 之间, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8～14)μm 范围的探测器。c.GaSb基材料制造的器件除了在光纤通信中有巨大的潜在应用价值外, 在其他领域也有很大的潜在应用价值, 如制作多种用途的红外探测器件及火箭和监视系统中的红外成像器件, 用于火灾报警和环境污染检测的传感器, 监测工厂中腐蚀气体(如HCl 等)和有毒气体的泄漏的传感器等。
苏州建道电子供应2寸和3寸的锑化铟InSb晶片。InSb单晶电子迁移率高，是良好的红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料。例如，对应于大气透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面阵列器件。另外在电荷注入器件方面，InSb器件的位数已达128×128阵列。3～5μm波段InSb光伏探测器作为敏感元件组成的混成焦平面阵列也得到很大发展，并已作成元数较多的两维阵列。
苏州建道电子供应纯GaN氮化镓晶片。尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供应。GaN氮化镓晶片常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色(405nm)激光二极管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低(与其他III族氮化物一样)，使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓(GaAs)晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外，GaN为THz器件提供了有前景的特性。
苏州建道电子加工销售Ge锗片晶片。a.锗片尺寸：2-6英寸，其他尺寸可定制;b.锗片晶向：100/111、4°，6°，9°等偏角度;b.锗片导电类型：N型、P型、非掺高阻;c.锗片阐述：掺有微量特定杂质的锗单晶，可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数，对红外线透明，不透过可见光和紫外线，可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。锗在红外器件、γ辐射探测器方面仍占有优势。高质量的锗基板主要用于cpv、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管的应用。
苏州建道电子供应2.3.4.6英寸，切割小块的SiC碳化硅晶片。a.碳化硅(SiC)是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度(约为硅的3倍)、高临界场强(约为硅的10倍)、高热导率(约为硅的3倍)等优良特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件(电力芯片)的理想半导体材料。同时，也是仅次于钻石的优良的半导体材料。b.目前我们还提供标准的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，用于肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结型场效应晶体管(JFET)和双极结型晶体管(BJT)的制作。这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风力发电、混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。
苏州建道电子供应MgF2氟化镁晶片 、BaF2氟化钡晶片 、LiF氟化锂晶片 、CaF2 氟化钙晶片、ZnSe硒化锌晶片等红外光学晶体。
苏州建道电子供应PMNT铌镁钛酸铅/TiO2 金红石晶体基片/GGG 钆镓石榴石/Fe、Nb:SrTiO3等磁性铁电压电晶体。
苏州建道电子供应LiNbO3 铌酸锂/ LiTaO3钽酸锂/YAlO3铝酸钇/YVO4钒酸钇/氧化碲TeO2等声学光电晶体。
苏州建道电子供应MgO 氧化镁晶片/ZnO氧化锌晶片/YSZ /LSAT 等高温超导晶体。
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